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近日，存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂，另外在苏州还有封装设施。

据Business Korea报道，三星已经决定对西安工厂进行升级，并开始大规模扩张，首先将过渡到200层的NAND工艺。为了应对过渡计划，目前三星已采购了一批新的设备，预计今年年底就能交付。同时三星计划明年陆续引进新的生产设备，为生产采用第8代V-NAND技术的236层闪存产品做好准备。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

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